BRD70N03
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
62.800 A
RDSon
0.0080 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
62.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 1.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 600 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 62.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRD70N03:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRD70N03?
Los reemplazos compatibles para el BRD70N03 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N60, BRD4N65, BRD50N03, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRD70N03?
El BRD70N03 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del BRD70N03?
El BRD70N03 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 62.800 A.