BRF8N65
MOSFET
N-Channel
TO220FL
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
7.500 A
RDSon
1.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
48.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220FL |
| tr - Rise Time | 60.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 105 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRF8N65:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRF8N65?
Los reemplazos compatibles para el BRF8N65 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BRF4N80, BRF5N60, BRF6N60, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRF8N65?
El BRF8N65 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220FL.
¿Cual es el voltaje maximo del BRF8N65?
El BRF8N65 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.500 A.