BRFL10N65
MOSFET
N-Channel
TO-220FL
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
9.500 A
RDSon
0.8500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220FL |
| tr - Rise Time | 69 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 166 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.85 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BRFL10N65:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BRFL10N65?
Los reemplazos compatibles para el BRFL10N65 incluyen: 2312, 2SK711, 2SK704, 2SK709, BRD15N10, BRD30P06, BRD4N70, BRD50P06, BRD70N08, BRD840, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BRFL10N65?
El BRFL10N65 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220FL.
¿Cual es el voltaje maximo del BRFL10N65?
El BRFL10N65 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.500 A.