BS170P
MOSFET
N-Channel
ELINE
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.270 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.625 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | ELINE |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.27 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.625 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BS170P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BS170P?
Los reemplazos compatibles para el BS170P incluyen: BFR84, BFS28R, BFT46, BS107P, BS107PT, BS108, BS170, BS170F, BS250F, BS250P, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BS170P?
El BS170P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ELINE.
¿Cual es el voltaje maximo del BS170P?
El BS170P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.270 A.