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MOS
FET

MOSFET BSB008NE2LX N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado CANPAK — Vds=25V, Id=46A, RDSon=0.0008Ω, 2.8W

MOSFET N-Channel CANPAK 2.800 W

Parametros principales

Vds Max 25 V

Id Max 46 A

RDSon 0.0008 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	CANPAK
tr - Rise Time	47.2 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	3800 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	46 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	25 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0008 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del BSB008NE2LX:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AON6414A MOSFET N-Channel BS170ZL1G MOSFET N-Channel BSB012N03LX3 MOSFET N-Channel BSB012NE2LXI MOSFET N-Channel BSB013NE2LXI MOSFET N-Channel BSB017N03LX3 MOSFET N-Channel BSB044N08NN3G MOSFET N-Channel BSB056N10NN3G MOSFET N-Channel BSB104N08NP3G MOSFET N-Channel BSB165N15NZ3G MOSFET N-Channel

¿Que es el BSB008NE2LX?

El BSB008NE2LX es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado CANPAK. Soporta hasta 25V entre drain y source con una corriente maxima de 46A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0008 Ohm.

Los MOSFET como el BSB008NE2LX se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el BSB008NE2LX

¿Con que transistor puedo reemplazar el BSB008NE2LX?

Los reemplazos compatibles para el BSB008NE2LX incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON6414A, BS170ZL1G, BSB012N03LX3, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el BSB008NE2LX?

El BSB008NE2LX es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado CANPAK. Sus parametros principales son: Vds=25V, Id=46A, RDSon=0.0008Ω, 2.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del BSB008NE2LX?

El BSB008NE2LX soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BSB008NE2LX?

El BSB008NE2LX viene en encapsulado CANPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BSB008NE2LX?

El BSB008NE2LX se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BSB008NE2LX?

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