BSC019N04NS
MOSFET
N-Channel
DFN5X6
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
33.000 A
RDSon
0.0025 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
5.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN5X6 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 610 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 33 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 5.4 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0025 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSC019N04NS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSC019N04NS?
Los reemplazos compatibles para el BSC019N04NS incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, APM4828KC-TRL, APM7313KC, APM7318KC, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSC019N04NS?
El BSC019N04NS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN5X6.
¿Cual es el voltaje maximo del BSC019N04NS?
El BSC019N04NS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 33.000 A.