BSC079N03S
MOSFET
N-Channel
TDSON-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
14.600 A
RDSon
0.0079 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TDSON-8 |
| tr - Rise Time | 4.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 600 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 14.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0079 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSC079N03S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSC079N03S?
Los reemplazos compatibles para el BSC079N03S incluyen: 2N7334, 2N7380, 2N7381, 2N7394, 2N7394U, 2N7405, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSC079N03S?
El BSC079N03S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TDSON-8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSC079N03S?
El BSC079N03S tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 14.600 A.