BSC0906NS
MOSFET
N-Channel
TDSON-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
63.000 A
RDSon
0.0045 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TDSON-8 |
| tr - Rise Time | 3.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 63 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSC0906NS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSC0906NS?
Los reemplazos compatibles para el BSC0906NS incluyen: 20N60, 2SK0123, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711.
¿Que tipo de transistor es el BSC0906NS?
El BSC0906NS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TDSON-8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSC0906NS?
El BSC0906NS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 63.000 A.