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MOS
FET

MOSFET BSC0910NDI N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado PG-TISON-8 — Vds=25.000V, Id=11.000A, RDSon=0.0046Ω, 2.500W

MOSFET N-Channel PG-TISON-8 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 25.000 V

Id Max 11.000 A

RDSon 0.0046 Ω

Vgs Max 20.000 V

Potencia 2.500 W

Tj Max 150.000 °C

Especificaciones completas ▼

Package	PG-TISON-8
tr - Rise Time	3.6 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	370 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	11 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	25 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0046 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del BSC0910NDI:

¿Que es el BSC0910NDI?

El BSC0910NDI es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado PG-TISON-8. Soporta hasta 25.000V entre drain y source con una corriente maxima de 11.000A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0046 Ohm.

Los MOSFET como el BSC0910NDI se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el BSC0910NDI

¿Con que transistor puedo reemplazar el BSC0910NDI?

Los reemplazos compatibles para el BSC0910NDI incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSC072N03LD, BSC072N08NS5, BSC079N03SG, y 13 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el BSC0910NDI?

El BSC0910NDI es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PG-TISON-8. Sus parametros principales son: Vds=25.000V, Id=11.000A, RDSon=0.0046Ω, 2.500W.

¿Cual es el voltaje maximo del BSC0910NDI?

El BSC0910NDI soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20.000V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BSC0910NDI?

El BSC0910NDI viene en encapsulado PG-TISON-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BSC0910NDI?

El BSC0910NDI se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BSC0910NDI?

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