BSC100N03MS
MOSFET
N-Channel
PG-TDSON-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PG-TDSON-8 |
| tr - Rise Time | 4.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 440 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSC100N03MS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSC100N03MS?
Los reemplazos compatibles para el BSC100N03MS incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, BSC0910NDI, BSC0911ND, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSC100N03MS?
El BSC100N03MS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PG-TDSON-8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSC100N03MS?
El BSC100N03MS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.