BSC117N08NS5
MOSFET
N-Channel
PG-TDSON-8
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
19.000 A
RDSon
0.0117 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PG-TDSON-8 |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 19 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0117 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSC117N08NS5:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSC117N08NS5?
Los reemplazos compatibles para el BSC117N08NS5 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSC0911ND, BSC0921NDI, BSC0923NDI, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSC117N08NS5?
El BSC117N08NS5 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PG-TDSON-8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSC117N08NS5?
El BSC117N08NS5 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 19.000 A.