BSC500N20NS3G
MOSFET
N-Channel
PG-TDSON-8
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
24.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
96.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PG-TDSON-8 |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 24 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 96 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSC500N20NS3G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSC500N20NS3G?
Los reemplazos compatibles para el BSC500N20NS3G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSC097N06NS, BSC098N10NS5, BSC100N03MS, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSC500N20NS3G?
El BSC500N20NS3G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PG-TDSON-8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSC500N20NS3G?
El BSC500N20NS3G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 24.000 A.