BSD816SN
MOSFET
N-Channel
SOT-363
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
1.400 A
RDSon
0.1600 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-363 |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 47 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.16 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSD816SN:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSD816SN?
Los reemplazos compatibles para el BSD816SN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSC120N03MS, BSC150N03LD, BSC252N10NSF, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSD816SN?
El BSD816SN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-363.
¿Cual es el voltaje maximo del BSD816SN?
El BSD816SN tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.400 A.