BSD840N
MOSFET
N-Channel
SOT-363
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.880 A
RDSon
0.4000 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-363 |
| tr - Rise Time | 2.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 25 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.88 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSD840N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSD840N?
Los reemplazos compatibles para el BSD840N incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSC150N03LD, BSC252N10NSF, BSC500N20NS3G, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSD840N?
El BSD840N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-363.
¿Cual es el voltaje maximo del BSD840N?
El BSD840N tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.880 A.