BSF030NE2LQ
MOSFET
N-Channel
MG-WDSON-2
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
24.000 A
RDSon
0.0030 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MG-WDSON-2 |
| tr - Rise Time | 3.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 660 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 24 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.003 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSF030NE2LQ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSF030NE2LQ?
Los reemplazos compatibles para el BSF030NE2LQ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSC252N10NSF, BSC500N20NS3G, BSD214SN, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSF030NE2LQ?
El BSF030NE2LQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MG-WDSON-2.
¿Cual es el voltaje maximo del BSF030NE2LQ?
El BSF030NE2LQ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 24.000 A.