BSF134N10NJ3G
MOSFET
N-Channel
MG-WDSON-2
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
9.000 A
RDSon
0.0134 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MG-WDSON-2 |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 320 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0134 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSF134N10NJ3G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSF134N10NJ3G?
Los reemplazos compatibles para el BSF134N10NJ3G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSD235N, BSD316SN, BSD816SN, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSF134N10NJ3G?
El BSF134N10NJ3G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MG-WDSON-2.
¿Cual es el voltaje maximo del BSF134N10NJ3G?
El BSF134N10NJ3G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.000 A.