BSG0813NDI
MOSFET
N-Channel
PG-TISON8-4
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
19.000 A
RDSon
0.0030 Ω
Vgs Max.
16.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PG-TISON8-4 |
| tr - Rise Time | 4.7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 390 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 19 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.003 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSG0813NDI:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSG0813NDI?
Los reemplazos compatibles para el BSG0813NDI incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 8205A, BSD816SN, BSD840N, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSG0813NDI?
El BSG0813NDI es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PG-TISON8-4.
¿Cual es el voltaje maximo del BSG0813NDI?
El BSG0813NDI tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 19.000 A.