BSH105
MOSFET
N-Channel
TO236AB
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
1.050 A
RDSon
0.2000 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.417 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO236AB |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.05 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.417 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.2 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSH105:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSH105?
Los reemplazos compatibles para el BSH105 incluyen: 20N50, 2SK3408, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BLS7G2325L-105, y 10 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSH105?
El BSH105 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO236AB.
¿Cual es el voltaje maximo del BSH105?
El BSH105 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.050 A.