BSH111
MOSFET
N-Channel
TO236AB
Parametros Principales
Vds Max.
55.000 V
Id Max.
0.335 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.830 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO236AB |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.335 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSH111:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSH111?
Los reemplazos compatibles para el BSH111 incluyen: 2SK3408, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AON7506, BLS7G2729LS-350P, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSH111?
El BSH111 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO236AB.
¿Cual es el voltaje maximo del BSH111?
El BSH111 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.335 A.