BSH111BK
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
55.000 V
Id Max.
0.210 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
0.302 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 8.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 2.7 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.21 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.302 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSH111BK:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSH111BK?
Los reemplazos compatibles para el BSH111BK incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSD840N, BSF030NE2LQ, BSF035NE2LQ, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSH111BK?
El BSH111BK es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del BSH111BK?
El BSH111BK tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.210 A.