BSH112
MOSFET
N-Channel
SOT-23 SOT-346
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
0.300 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
0.830 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 SOT-346 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 8 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSH112:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSH112?
Los reemplazos compatibles para el BSH112 incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSF030NE2LQ, BSF035NE2LQ, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSH112?
El BSH112 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23 SOT-346.
¿Cual es el voltaje maximo del BSH112?
El BSH112 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.300 A.