BSH202
MOSFET
P-Channel
TO236AB
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
0.520 A
RDSon
0.9000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.417 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO236AB |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.52 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.417 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.9 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSH202:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSH202?
Los reemplazos compatibles para el BSH202 incluyen: BSH201, BSH203, BSH205, BSH207.
¿Que tipo de transistor es el BSH202?
El BSH202 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO236AB.
¿Cual es el voltaje maximo del BSH202?
El BSH202 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.520 A.