BSL211DV
MOSFET
P-Channel
SOT163
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
4.700 A
RDSon
0.0670 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT163 |
| tr - Rise Time | 13.9 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 241 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.067 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSL211DV:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSL211DV?
Los reemplazos compatibles para el BSL211DV incluyen: 2SJ607-ZJ, A9451, AO3401A, AO3415AS, AO3415W, AO4335, AO4705, AOD413.
¿Que tipo de transistor es el BSL211DV?
El BSL211DV es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT163.
¿Cual es el voltaje maximo del BSL211DV?
El BSL211DV tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.700 A.