BSL806N
MOSFET
N-Channel
SOT-457
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
2.300 A
RDSon
0.0570 Ω
Vgs Max.
8.000 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-457 |
| tr - Rise Time | 9.9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 118 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.057 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSL806N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSL806N?
Los reemplazos compatibles para el BSL806N incluyen: 2SK3878, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSL302SN, BSL306N, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSL806N?
El BSL806N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-457.
¿Cual es el voltaje maximo del BSL806N?
El BSL806N tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.300 A.