BSP299
MOSFET
N-Channel
SOT-223
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
0.400 A
RDSon
4.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.800 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-223 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSP299:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSP299?
Los reemplazos compatibles para el BSP299 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSP135, BSP149, BSP295, y 11 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSP299?
El BSP299 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-223.
¿Cual es el voltaje maximo del BSP299?
El BSP299 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.400 A.