BSP75GQ
MOSFET
N-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
1.600 A
RDSon
0.5500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 2200 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.55 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSP75GQ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSP75GQ?
Los reemplazos compatibles para el BSP75GQ incluyen: 2N7002AQ, 2N7002H, 2SK3878, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSP75GQ?
El BSP75GQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del BSP75GQ?
El BSP75GQ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.600 A.