BSS123N3
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
1.700 A
RDSon
0.2600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.380 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 1.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 15 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.26 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS123N3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS123N3?
Los reemplazos compatibles para el BSS123N3 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK3018S3, 2SK3019C3, 2SK3541Y3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS123N3?
El BSS123N3 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS123N3?
El BSS123N3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.700 A.