BSS123WQ
MOSFET
N-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
0.170 A
RDSon
6.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 8 max nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.17 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS123WQ:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS123WQ?
Los reemplazos compatibles para el BSS123WQ incluyen: 2N7002AQ, 2N7002H, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BS170, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS123WQ?
El BSS123WQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS123WQ?
El BSS123WQ tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.170 A.