BSS138-G
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.220 A
RDSon
3.5000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.350 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 13 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.22 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.35 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS138-G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS138-G?
Los reemplazos compatibles para el BSS138-G incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 75N75, BSS127, BSS127S, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS138-G?
El BSS138-G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS138-G?
El BSS138-G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.220 A.