BSS606N
MOSFET
N-Channel
SOT-89
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
3.200 A
RDSon
0.0600 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-89 |
| Marking Code | KE |
| tr - Rise Time | 2.6 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 3.7 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 131 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.3 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.06 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS606N:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS606N?
Los reemplazos compatibles para el BSS606N incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, BSS138N, BSS138TA, BSS138TC, BSS139, BSS159N, BSS169, BSS214NW, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS606N?
El BSS606N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-89.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS606N?
El BSS606N tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.200 A.