BSS606N-P
MOSFET
N-Channel
SOT89
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
3.500 A
RDSon
0.1200 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT89 |
| Marking Code | 603N |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Qg - Total Gate Charge | 6 nC |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 34 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.3 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS606N-P:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS606N-P?
Los reemplazos compatibles para el BSS606N-P incluyen: 2N7002EM3T5G, 2N7002M3T5G, 2SK711, 2SK704, 2SK709, 5N60, 2SK3541-P, 2SK701, 2SK702, 2SK703, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS606N-P?
El BSS606N-P es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT89.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS606N-P?
El BSS606N-P tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.500 A.