BSS84N3
MOSFET
P-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.130 A
RDSon
6.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.225 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 2 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 7 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS84N3:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS84N3?
Los reemplazos compatibles para el BSS84N3 incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 2SK3018S3, 2SK3019C3, 2SK3541Y3, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84S6R, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS84N3?
El BSS84N3 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS84N3?
El BSS84N3 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.130 A.