BSS84WT1
MOSFET
P-Channel
SOT323
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.130 A
RDSon
10.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.225 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| tr - Rise Time | 1 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 10 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSS84WT1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSS84WT1?
Los reemplazos compatibles para el BSS84WT1 incluyen: BS170, 2SK711, 2SK3018LT1, 2SK3018WT1, 2SK3019TT1, 2SK3541M3T5, BSS123LT1, BSS138WT1, BSS84LT1, 2SK704, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSS84WT1?
El BSS84WT1 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del BSS84WT1?
El BSS84WT1 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.130 A.