BST82
MOSFET
N-Channel
TO236AB
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
0.190 A
RDSon
10.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.830 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO236AB |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.19 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 10 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BST82:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BST82?
Los reemplazos compatibles para el BST82 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, BSS83, BSS87.
¿Que tipo de transistor es el BST82?
El BST82 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO236AB.
¿Cual es el voltaje maximo del BST82?
El BST82 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.190 A.