BSZ018NE2LS
MOSFET
N-Channel
SUPERSO8
Parametros Principales
Vds Max.
25.000 V
Id Max.
23.000 A
RDSon
0.0018 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SUPERSO8 |
| tr - Rise Time | 4.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 23 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0018 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSZ018NE2LS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSZ018NE2LS?
Los reemplazos compatibles para el BSZ018NE2LS incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 8205A, BSS806NE, BSS816NW, BSS84-7, BSS84AKMB, BSS84TA, BSS84TC, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSZ018NE2LS?
El BSZ018NE2LS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SUPERSO8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSZ018NE2LS?
El BSZ018NE2LS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 23.000 A.