BSZ042N06NS
MOSFET
N-Channel
TSDSON-8FL
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
17.000 A
RDSon
0.0042 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TSDSON-8FL |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 490 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 17 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0042 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSZ042N06NS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSZ042N06NS?
Los reemplazos compatibles para el BSZ042N06NS incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, 7N65, BSZ014NE2LS5IF, BSZ018NE2LS, BSZ025N04LS, BSZ028N04LS, BSZ034N04LS, BSZ035N03LS, y 14 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSZ042N06NS?
El BSZ042N06NS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSDSON-8FL.
¿Cual es el voltaje maximo del BSZ042N06NS?
El BSZ042N06NS tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 17.000 A.