BSZ0901NSI
MOSFET
N-Channel
TSDSON-8FL
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
25.000 A
RDSon
0.0021 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TSDSON-8FL |
| tr - Rise Time | 7.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1000 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 25 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0021 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSZ0901NSI:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSZ0901NSI?
Los reemplazos compatibles para el BSZ0901NSI incluyen: 2SK3568, 2SK711, 2SK704, 2SK709, BSZ050N03MS, BSZ058N03LS, BSZ058N03MS, BSZ060NE2LS, BSZ065N03LS, BSZ075N08NS5, y 13 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSZ0901NSI?
El BSZ0901NSI es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSDSON-8FL.
¿Cual es el voltaje maximo del BSZ0901NSI?
El BSZ0901NSI tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 25.000 A.