BSZ0908ND
MOSFET
N-Channel
PG-WISON-8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
4.800 A
RDSon
0.0144 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.700 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PG-WISON-8 |
| tr - Rise Time | 2.5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 120 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.7 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0144 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSZ0908ND:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSZ0908ND?
Los reemplazos compatibles para el BSZ0908ND incluyen: 2SK711, 2SK704, 2SK709, BSZ075N08NS5, BSZ084N08NS5, BSZ0901NS, BSZ0901NSI, BSZ0902NS, BSZ0902NSI, BSZ0904NSI, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSZ0908ND?
El BSZ0908ND es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PG-WISON-8.
¿Cual es el voltaje maximo del BSZ0908ND?
El BSZ0908ND tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.800 A.