BSZ097N10NS5
MOSFET
N-Channel
TSDSON-8FL
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.0097 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
2.100 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TSDSON-8FL |
| tr - Rise Time | 5 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0097 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSZ097N10NS5:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSZ097N10NS5?
Los reemplazos compatibles para el BSZ097N10NS5 incluyen: 10N12, 2SK711, 2SK704, 2SK709, BSZ084N08NS5, BSZ0901NS, BSZ0901NSI, BSZ0902NS, BSZ0902NSI, BSZ0904NSI, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSZ097N10NS5?
El BSZ097N10NS5 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSDSON-8FL.
¿Cual es el voltaje maximo del BSZ097N10NS5?
El BSZ097N10NS5 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.