BSZ110N08NS5
MOSFET
N-Channel
TSDSON-8FL
Parametros Principales
Vds Max.
80.000 V
Id Max.
40.000 A
RDSon
0.0110 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TSDSON-8FL |
| tr - Rise Time | 3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 40 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.011 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del BSZ110N08NS5:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el BSZ110N08NS5?
Los reemplazos compatibles para el BSZ110N08NS5 incluyen: 10N12, 10N45, 2SK711, 2SK704, 2SK709, AON6380, BSZ0901NS, BSZ0901NSI, BSZ0902NS, BSZ0902NSI, y 8 mas.
¿Que tipo de transistor es el BSZ110N08NS5?
El BSZ110N08NS5 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSDSON-8FL.
¿Cual es el voltaje maximo del BSZ110N08NS5?
El BSZ110N08NS5 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 40.000 A.