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MOS
FET

MOSFET FDMC86160ET100 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado POWER33 — Vds=100V, Id=43A, RDSon=0.014Ω, 65W

MOSFET N-Channel POWER33 65.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 43 A

RDSon 0.014 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 65 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	POWER33
tr - Rise Time	3.6 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	241 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	43 A
Pd - Maximum Power Dissipation	65 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.014 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del FDMC86160ET100:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel FDM6296 MOSFET N-Channel FDMA86108LZ MOSFET N-Channel FDMA86251 MOSFET N-Channel FDMC8010ET30 MOSFET N-Channel FDMC86260ET150 MOSFET N-Channel FDMC86340ET80 MOSFET N-Channel FDMC86570LET60 MOSFET N-Channel FDMC8676 MOSFET N-Channel FDMC8678S MOSFET N-Channel FDMD85100 MOSFET N-Channel FDMD86100 MOSFET N-Channel IRF520 MOSFET N-Channel

¿Que es el FDMC86160ET100?

El FDMC86160ET100 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado POWER33. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 43A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.014 Ohm.

Los MOSFET como el FDMC86160ET100 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el FDMC86160ET100

¿Con que transistor puedo reemplazar el FDMC86160ET100?

Los reemplazos compatibles para el FDMC86160ET100 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, FDM6296, FDMA86108LZ, FDMA86251, y 9 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el FDMC86160ET100?

El FDMC86160ET100 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado POWER33. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=43A, RDSon=0.014Ω, 65W.

¿Cual es el voltaje maximo del FDMC86160ET100?

El FDMC86160ET100 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FDMC86160ET100?

El FDMC86160ET100 viene en encapsulado POWER33. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FDMC86160ET100?

El FDMC86160ET100 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del FDMC86160ET100?

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