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MOS
FET

MOSFET IPD06N03LA N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO252 — Vds=25V, Id=50A, RDSon=0.005Ω, 83W

MOSFET N-Channel TO252 83.000 W

Parametros principales

Vds Max 25 V

Id Max 50 A

RDSon 0.005 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 83 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO252
tr - Rise Time	7.2 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	800 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	50 A
Pd - Maximum Power Dissipation	83 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	25 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.005 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IPD06N03LA:

2SK1202 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AP9916H MOSFET N-Channel AP9916J MOSFET N-Channel APM2510NU MOSFET N-Channel IPF06N03LA MOSFET N-Channel IPS06N03LA MOSFET N-Channel IPU06N03LA MOSFET N-Channel IRF630MFP MOSFET N-Channel IRF7832Z MOSFET N-Channel IRFD123 MOSFET N-Channel IXFH50N50P3 MOSFET N-Channel IXFQ50N50P3 MOSFET N-Channel IXFT50N50P3 MOSFET N-Channel

¿Que es el IPD06N03LA?

El IPD06N03LA es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO252. Soporta hasta 25V entre drain y source con una corriente maxima de 50A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.005 Ohm.

Los MOSFET como el IPD06N03LA se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el IPD06N03LA

¿Con que transistor puedo reemplazar el IPD06N03LA?

Los reemplazos compatibles para el IPD06N03LA incluyen: 2SK1202, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AP9916H, AP9916J, y 10 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IPD06N03LA?

El IPD06N03LA es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252. Sus parametros principales son: Vds=25V, Id=50A, RDSon=0.005Ω, 83W.

¿Cual es el voltaje maximo del IPD06N03LA?

El IPD06N03LA soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IPD06N03LA?

El IPD06N03LA viene en encapsulado TO252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IPD06N03LA?

El IPD06N03LA se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IPD06N03LA?

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