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MOS
FET

MOSFET IRF510A N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO220 — Vds=100V, Id=5.6A, RDSon=0.4Ω, 33W

MOSFET N-Channel TO220 33.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 5.6 A

RDSon 0.4 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 33 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO220
tr - Rise Time	14 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	55 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation	33 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.4 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IRF510A:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IRF451 MOSFET N-Channel IRF452 MOSFET N-Channel IRF453 MOSFET N-Channel IRF460 MOSFET N-Channel IRF510 MOSFET N-Channel IRF510S MOSFET N-Channel IRF511 MOSFET N-Channel IRF512 MOSFET N-Channel IRF513 MOSFET N-Channel IRF520 MOSFET N-Channel IRF520A MOSFET N-Channel IRF520FI MOSFET N-Channel IRF520N MOSFET N-Channel

¿Que es el IRF510A?

El IRF510A es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO220. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 5.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.4 Ohm.

Los MOSFET como el IRF510A se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el IRF510A

¿Con que transistor puedo reemplazar el IRF510A?

Los reemplazos compatibles para el IRF510A incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF451, IRF452, IRF453, y 10 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IRF510A?

El IRF510A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=5.6A, RDSon=0.4Ω, 33W.

¿Cual es el voltaje maximo del IRF510A?

El IRF510A soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IRF510A?

El IRF510A viene en encapsulado TO220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IRF510A?

El IRF510A se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IRF510A?

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