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MOS
FET

MOSFET IRF520NS N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO263 — Vds=100V, Id=9.7A, RDSon=0.2Ω, 48W

MOSFET N-Channel TO263 48.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 9.7 A

RDSon 0.2 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 48 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263
tr - Rise Time	23 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	92 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	9.7 A
Pd - Maximum Power Dissipation	48 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.2 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IRF520NS:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IRF3205 MOSFET N-Channel IRF510S MOSFET N-Channel IRF511 MOSFET N-Channel IRF512 MOSFET N-Channel IRF513 MOSFET N-Channel IRF520 MOSFET N-Channel IRF520A MOSFET N-Channel IRF520FI MOSFET N-Channel IRF520N MOSFET N-Channel IRF521 MOSFET N-Channel IRF522 MOSFET N-Channel IRF523 MOSFET N-Channel IRF530 MOSFET N-Channel

¿Que es el IRF520NS?

El IRF520NS es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO263. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 9.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.2 Ohm.

Los MOSFET como el IRF520NS se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el IRF520NS

¿Con que transistor puedo reemplazar el IRF520NS?

Los reemplazos compatibles para el IRF520NS incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF3205, IRF510S, IRF511, y 10 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IRF520NS?

El IRF520NS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=9.7A, RDSon=0.2Ω, 48W.

¿Cual es el voltaje maximo del IRF520NS?

El IRF520NS soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IRF520NS?

El IRF520NS viene en encapsulado TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IRF520NS?

El IRF520NS se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IRF520NS?

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