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MOS
FET

MOSFET IRF640FI N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado ISOWATT220 — Vds=200V, Id=10A, RDSon=0.18Ω, 40W

MOSFET N-Channel ISOWATT220 40.000 W

Parametros principales

Vds Max 200 V
Id Max 10 A
RDSon 0.18 Ω
Vgs Max 20 V
Potencia 40 W
Tj Max 150 °C
Especificaciones completas ▼
Package ISOWATT220
tr - Rise Time 75 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 270 pF
|Id| - Maximum Drain Current 10 A
Pd - Maximum Power Dissipation 40 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.18 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IRF640FI:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel 4N60 MOSFET N-Channel IRF633 MOSFET N-Channel IRF634 MOSFET N-Channel IRF634A MOSFET N-Channel IRF634S MOSFET N-Channel IRF635 MOSFET N-Channel IRF636A MOSFET N-Channel IRF640 MOSFET N-Channel IRF640A MOSFET N-Channel IRF640L MOSFET N-Channel IRF640S MOSFET N-Channel IRF641 MOSFET N-Channel IRF642 MOSFET N-Channel IRF643 MOSFET N-Channel IRF644 MOSFET N-Channel IRF644A MOSFET N-Channel IRF644S MOSFET N-Channel

¿Que es el IRF640FI?

El IRF640FI es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado ISOWATT220. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.18 Ohm.

Los MOSFET como el IRF640FI se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el IRF640FI

¿Con que transistor puedo reemplazar el IRF640FI?

Los reemplazos compatibles para el IRF640FI incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 4N60, IRF633, IRF634, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el IRF640FI?

El IRF640FI es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ISOWATT220. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=10A, RDSon=0.18Ω, 40W.

¿Cual es el voltaje maximo del IRF640FI?

El IRF640FI soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el IRF640FI?

El IRF640FI viene en encapsulado ISOWATT220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el IRF640FI?

El IRF640FI se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del IRF640FI?

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