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MOS
FET

MOSFET MDP10N50TH N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220 — Vds=500V, Id=10A, RDSon=0.75Ω, 141W

MOSFET N-Channel TO-220 141.000 W

Parametros principales

Vds Max 500 V

Id Max 10 A

RDSon 0.75 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 141 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-220
tr - Rise Time	45 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	108 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	10 A
Pd - Maximum Power Dissipation	141 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.75 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del MDP10N50TH:

¿Que es el MDP10N50TH?

El MDP10N50TH es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220. Soporta hasta 500V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.75 Ohm.

Los MOSFET como el MDP10N50TH se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el MDP10N50TH

¿Con que transistor puedo reemplazar el MDP10N50TH?

Los reemplazos compatibles para el MDP10N50TH incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF1405, MDIS1502TH, MDIS1903TH, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el MDP10N50TH?

El MDP10N50TH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220. Sus parametros principales son: Vds=500V, Id=10A, RDSon=0.75Ω, 141W.

¿Cual es el voltaje maximo del MDP10N50TH?

El MDP10N50TH soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el MDP10N50TH?

El MDP10N50TH viene en encapsulado TO-220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el MDP10N50TH?

El MDP10N50TH se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del MDP10N50TH?

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