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MOS
FET

MOSFET PG8E10AK N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado PDFN5X6P — Vds=100V, Id=69A, RDSon=0.0082Ω, 93W

MOSFET N-Channel PDFN5X6P 93.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 69 A

RDSon 0.0082 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 93 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	PDFN5X6P
tr - Rise Time	67 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	283 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	69 A
Pd - Maximum Power Dissipation	93 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0082 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PG8E10AK:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IRF3710 MOSFET N-Channel PF608BA MOSFET N-Channel PG1010BD MOSFET N-Channel PG1010BK MOSFET N-Channel PG2910BD MOSFET N-Channel PG2910BEA MOSFET N-Channel PG2910BK MOSFET N-Channel PG3510HEA MOSFET N-Channel PG8E10AF MOSFET N-Channel PI504BZ MOSFET N-Channel

¿Que es el PG8E10AK?

El PG8E10AK es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado PDFN5X6P. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 69A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0082 Ohm.

Los MOSFET como el PG8E10AK se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PG8E10AK

¿Con que transistor puedo reemplazar el PG8E10AK?

Los reemplazos compatibles para el PG8E10AK incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF3710, PF608BA, PG1010BD, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PG8E10AK?

El PG8E10AK es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado PDFN5X6P. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=69A, RDSon=0.0082Ω, 93W.

¿Cual es el voltaje maximo del PG8E10AK?

El PG8E10AK soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PG8E10AK?

El PG8E10AK viene en encapsulado PDFN5X6P. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PG8E10AK?

El PG8E10AK se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PG8E10AK?

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