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MOS
FET

MOSFET PHD78NQ03L N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO252 — Vds=30V, Id=80A, RDSon=0.005Ω, 205W

MOSFET N-Channel TO252 205.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 80 A

RDSon 0.005 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 205 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO252
tr - Rise Time	11 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	525 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	80 A
Pd - Maximum Power Dissipation	205 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.005 typ Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PHD78NQ03L:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AOD4184A MOSFET N-Channel P0603BVG MOSFET N-Channel P120NF10 MOSFET N-Channel P60NF06 MOSFET N-Channel P80NF55-08 MOSFET N-Channel PHB32N06 MOSFET N-Channel PHK12NQ03L MOSFET N-Channel RJK0822SPN MOSFET N-Channel RRS130N03 MOSFET N-Channel RSS100N03T MOSFET N-Channel

¿Que es el PHD78NQ03L?

El PHD78NQ03L es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO252. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 80A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.005 Ohm.

Los MOSFET como el PHD78NQ03L se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PHD78NQ03L

¿Con que transistor puedo reemplazar el PHD78NQ03L?

Los reemplazos compatibles para el PHD78NQ03L incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, P0603BVG, P120NF10, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PHD78NQ03L?

El PHD78NQ03L es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=80A, RDSon=0.005Ω, 205W.

¿Cual es el voltaje maximo del PHD78NQ03L?

El PHD78NQ03L soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PHD78NQ03L?

El PHD78NQ03L viene en encapsulado TO252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PHD78NQ03L?

El PHD78NQ03L se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PHD78NQ03L?

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