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MOS
FET

MOSFET RU1HE3H N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOP-8 — Vds=100V, Id=3A, RDSon=0.15Ω, 2.5W

MOSFET N-Channel SOP-8 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 3 A

RDSon 0.15 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOP-8
tr - Rise Time	40 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	95 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	3 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.15 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del RU1HE3H:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel 5N65 MOSFET N-Channel RU1H40L MOSFET N-Channel RU1H60R MOSFET N-Channel RU1H7H MOSFET N-Channel RU1H80R MOSFET N-Channel RU1HE12L MOSFET N-Channel RU1HE16L MOSFET N-Channel RU1HE3D MOSFET N-Channel RU1HE4D MOSFET N-Channel RU1HE4H MOSFET N-Channel

¿Que es el RU1HE3H?

El RU1HE3H es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOP-8. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.15 Ohm.

Los MOSFET como el RU1HE3H se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el RU1HE3H

¿Con que transistor puedo reemplazar el RU1HE3H?

Los reemplazos compatibles para el RU1HE3H incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 5N65, RU1H40L, RU1H60R, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el RU1HE3H?

El RU1HE3H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOP-8. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=3A, RDSon=0.15Ω, 2.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del RU1HE3H?

El RU1HE3H soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RU1HE3H?

El RU1HE3H viene en encapsulado SOP-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RU1HE3H?

El RU1HE3H se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RU1HE3H?

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