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BJT

Transistor 2N105 PNP — BJT

BJT PNP — Encapsulado TO1 — Ic=0.015A, hFE=55, 0.035W

BJT PNP TO1 0.035 W

Parametros principales

Vcb Max 25 V

Ic Max 0.015 A

hFE Min 55

Potencia 0.035 W

Tj Max 75 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO1
Polarity	PNP
Material of Transistor	Ge
Transition Frequency (ft)	0.3 MHz
Collector Capacitance (Cc)	17 pF
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.015 A
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	5 V
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	75 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.035 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	55

¿Que es el 2N105?

El 2N105 es un transistor BJT de tipo PNP en encapsulado TO1. La ganancia minima (hFE) es 55.

Los transistores BJT como el 2N105 se usan en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y circuitos de control. Su versatilidad los hace componentes fundamentales en electronica analogica y digital.

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Preguntas frecuentes sobre el 2N105

¿Que tipo de transistor es el 2N105?

El 2N105 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1. Sus parametros principales son: Ic=0.015A, hFE=55, 0.035W.

¿Que encapsulado tiene el 2N105?

El 2N105 viene en encapsulado TO1. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el 2N105?

El 2N105 se usa tipicamente en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y etapas de entrada/salida. Es un componente versatil presente en una gran variedad de circuitos analogicos y digitales.

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